La mémoire Flash bientôt au placard voilà la mémoire à changement de phase - 11 décembre 2006 - 18:38 (Par Etienne Jean de la Perle)

La mémoire Flash bientôt au placard voilà la mémoire à changement de phase

Alors que les géants des semi-conducteurs réfléchissent à la technologie qui pourra succéder à la mémoire flash, qui équipe l'iPod d'Apple, les appareils photos les décodeurs, les commandes de moteurs automobiles et autres téléphones portables, un prototype de mémoire à changement de phase a été présenté par IBM, Qimonda et Macronix.

Les trois firmes ont en effet présenté aujourd'hui un prototype de mémoire à changement de phase destiné à remplacer l'actuelle mémoire Flash de nos périphériques. Selon IBM, Qimonda et Macronix, cette mémoire est plus rapide, et surtout moins gourmande en énergie que la mémoire Flash.

Cette mémoire à changement de phase non volatile permet de garder des données stockées sans aucune alimentation électrique, tout comme la Flash. Les bits de données sont stockés par changement de phase, cristalline (0) ou non cristalline (1), des états parfaitement stables, hors de toute alimentation électrique.

Le changement de phase entre le 0 et le 1 est annoncé 500 fois plus rapide que celui de la mémoire Flash classique. De plus, l'écriture de données y est deux fois moins gourmande en énergie, avec un reset (remise d'un bit à 0) qui n'absorbe que 100 µA, selon les chercheurs des trois sociétés.

La technologie ainsi mise au point serait capable de créer des puces de mémoire gravées en 22 nm et même moins par l'avenir. Le matériau clé de cette mémoire est l'alliage GeSb (germanium-antimoine) déposé en fine couche, et mélangé à quelques autres éléments permettant d'améliorer les propriétés de l'alliage. Cette mémoire est encore en phase de développement, mais le prototype d'IBM, Qimonda et Macronix semble bien fonctionner.

De son côté, Samsung avait également présenté, il y a moins de deux mois, un exemplaire de sa nouvelle technologie de barrettes mémoire : la PRAM, pour Phase-change Random Access Memory. Ce nouveau type de mémoire non volatile (Persistent Storage) va sonner la fin des mémoires Flash NOR (Not OR), en se substituant à celles-ci dans les prochaines années. La PRAM, contrairement aux autres mémoires, n'a pas besoin d'effacer les données précédemment écrites avant de pouvoir y inscrire de nouvelles.

Pour le Dr. Stanford Ovshinsky, président d'Energy Conversion Devices, à l'origine des recherches et des brevets sur la technologie du changement de phase, la « réécriture directe est simplement le procédé qui consiste à enregistrer une nouvelle information à un endroit qui avait déjà été enregistré, et ce, sans effacement préalable de la première information. Pour que cela soit possible, le matériau doit posséder deux propriétés primordiales. Premièrement, la transition doit être extrêmement rapide. La structure des matériaux effaçables par changement de phase est facile à transformer dans les deux sens au moyen d'impulsions d'une durée de 50 nanosecondes. Deuxièmement, l'énergie émise par le rayon laser pour conduire à l'état amorphe ou à l'état cristallin, doit être absorbée de la même façon par le matériau à changement de phase, qu'il soit dans l'un ou l'autre de ses états structurels. » Le marché des mémoires Flash possède aujourd'hui une taille très importante et connaît l'une des croissances les plus fortes du marché des semi-conducteurs, et il y a fort à parier qu'avec ces nouvelles technologies de mémoire à changement de phase, il n'aura de cesse que de croître. (Source : PC Inpact)

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